工作电压（VCC）：10V ~ 20V
　　高压侧浮动电压：最高600V
　　输出峰值电流：±1.5A（典型值）
　　输入逻辑电平兼容：3.3V、5V、15V
　　传播延迟时间：典型120ns
　　上升时间：典型70ns（1000pF负载）
　　下降时间：典型40ns（1000pF负载）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：DIP-8

IX0758CE的主要特性之一是其高压侧浮动能力，使其适用于高边开关驱动应用。该芯片内部集成了一个高压电平转换器，可将来自控制器的低压信号转换为高压侧所需的信号，从而实现半桥或全桥电路中上管MOSFET/IGBT的驱动。此外，该器件支持自举供电方式，简化了电源设计，降低了系统的复杂性和成本。
　　 IX0758CE还具备良好的抗干扰能力，采用高dv/dt噪声抑制技术，防止在高频开关过程中产生误触发。其输入端支持TTL或CMOS逻辑电平，兼容多种控制器接口。输出驱动能力强，可快速驱动大栅极电容的功率器件，从而减少开关损耗，提高系统效率。
　　 该芯片内置欠压锁定保护功能（UVLO），当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件在非理想条件下工作。同时，其上下桥臂输出之间设有互锁机制，防止上下管同时导通，避免直通短路风险，提高系统安全性。
　　 IX0758CE的封装形式为DIP-8，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业和车载环境。该芯片在设计上考虑了电磁兼容性（EMC）要求，适用于高频率、高效率的开关应用。

IX0758CE广泛应用于需要高压、高速驱动能力的功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该芯片用于驱动半桥结构的功率MOSFET，提高电源转换效率；在电机控制和变频器系统中，可用于驱动H桥结构，实现电机的正反转和速度调节；在太阳能逆变器、UPS不间断电源等新能源系统中，IX0758CE可作为IGBT或MOSFET的驱动核心，提高系统的稳定性和可靠性。
　　 此外，该芯片也常用于电动车、工业自动化设备、LED驱动电源、电焊机和感应加热装置等对功率器件驱动性能有较高要求的场合。由于其具备较强的抗干扰能力和保护机制，IX0758CE在高噪声环境中依然能够稳定工作。

IRS2104、IR2110、LM5101、IX0758N、IX0758CS