时间：2025/7/8 20:12:22
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GA1812A820FXGAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
这款芯片通过优化栅极电荷设计，大幅提升了开关速度，并且在宽电压范围内表现出优秀的电气特性，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
型号：GA1812A820FXGAT31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：820V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：12A（脉冲）
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω（典型值，@Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：55nC
开关时间：ton=50ns，toff=65ns
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
1. 高耐压能力，适合高压电路环境。
2. 低导通电阻设计，减少功率损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠的性能。
5. 宽工作温度范围，适应各种严苛的工作条件。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 工业设备中的电机驱动和控制。
3. LED照明系统的恒流驱动电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 电动车和电动工具的电源管理系统。
6. 各种负载切换和保护电路中作为开关元件。
IRFP460, STW12NM80, FQA12N80E
