您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CPH3448-TL-H

CPH3448-TL-H 发布时间 时间:2025/7/10 1:37:24 查看 阅读:10

CPH3448-TL-H是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。CPH3448-TL-H能够在高频条件下提供高效的功率转换,同时保持较低的功耗和良好的稳定性。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  漏源极击穿电压(BVDSS):30V
  连续漏极电流(Id):72A(Tc=25℃)
  栅极电荷(Qg):26nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1590pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

CPH3448-TL-H具有极低的导通电阻,这使得其在大电流应用中能够显著降低功率损耗。
  其高开关速度有助于减少开关损耗,提高整体效率。
  该器件还具备强大的散热能力,适合高功率密度设计。
  内置ESD保护电路提高了其抗静电能力,增强了可靠性。
  CPH3448-TL-H的工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。

应用

CPH3448-TL-H广泛应用于各种需要高效功率转换的场合,包括但不限于:
  服务器电源模块中的同步整流。
  电动汽车和混合动力汽车中的电机控制。
  工业自动化设备中的负载开关。
  消费电子产品的DC-DC转换器。
  电信设备中的功率分配系统。
  LED驱动器中的功率调节组件。

替代型号

CPH3448-TL-E, CPH3448-TL-L

CPH3448-TL-H推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CPH3448-TL-H参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds430pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-96
  • 供应商设备封装3-CPH
  • 包装带卷 (TR)