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GA1812A682GBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 13:42:48 查看 阅读:4

GA1812A682GBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该型号通常被设计用于需要高效能和低损耗的应用场合,其封装形式适合高密度电路板布局,同时具备良好的电气特性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1812A682GBBAT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有效减少功率损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用,减少磁性元件体积和成本。
  3. 强大的散热能力,适用于高功率密度的设计需求。
  4. 宽泛的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 内置反向恢复二极管,优化了同步整流和续流回路中的表现。
  6. 高可靠性和长寿命设计,满足工业级和汽车级应用要求。

应用

这款功率MOSFET主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),例如AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,如降压或升压拓扑结构。
  3. 电机驱动,特别是无刷直流电机(BLDC)控制器。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 新能源领域的逆变器和电池管理系统(BMS)。

GA1812A682GBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-