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GA1812A681FBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:17:28 查看 阅读:14

GA1812A681FBLAT31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,属于增强型 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)系列。该型号专为高频、高功率密度应用场景设计,具有低导通电阻、快速开关特性和高击穿电压等优势。其采用先进的封装技术,适用于电源转换、电机驱动和无线充电等领域。
  该器件通过优化栅极驱动设计,能够显著降低开关损耗,并提升整体系统效率。同时,其出色的热性能使其能够在高负载条件下稳定运行。

参数

类型:增强型 GaN HEMT
  导通电阻(Rds(on)):40 mΩ(典型值,@25°C)
  击穿电压(BVDSS):650 V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2 V ~ 3.0 V
  最大漏极电流(Id):20 A
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-247-4L
  开关频率:高达 5 MHz
  存储湿度:≤90%(无凝结)

特性

1. 高效性能:得益于氮化镓材料的独特属性,GA1812A681FBLAT31G 可以实现比传统硅基 MOSFET 更低的开关损耗和导通损耗,从而提高系统的整体效率。
  2. 快速开关速度:此器件支持高达 5 MHz 的开关频率,非常适合高频应用,例如 D类音频放大器或 DC-DC 转换器。
  3. 热稳定性强:其耐高温能力使该芯片在极端环境下仍能保持稳定的电气性能。
  4. 易于驱动:较低的栅极电荷量简化了驱动电路的设计,同时减少了驱动损耗。
  5. 小型化与高功率密度:相比传统方案,使用该 GaN 器件可以大幅减小功率模块的体积,满足现代电子产品对紧凑设计的需求。

应用

1. 开关电源(SMPS):
   包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,特别是在图腾柱 PFC 和 LLC 谐振变换器中表现出色。
  2. 电机驱动:
   高频 PWM 控制下的无刷直流电机驱动系统。
  3. 充电器:
   快速充电器以及便携式设备的高效充电解决方案。
  4. 工业电源:
   用于工业设备中的高频逆变器和电源管理单元。
  5. 无线充电:
   支持更高效率和更大发射距离的无线充电发射端设计。

替代型号

GaN Systems GS66508T, Transphorm TP65H030WSG

GA1812A681FBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-