GA1812A680FBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟槽式场效应晶体管系列。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各种电力电子设备中。其封装形式为 TO-247-3,适合大功率应用场合。
型号:GA1812A680FBAAT31G
类型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压(Vds):680V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.05Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
连续漏极电流(Id):12A(在 25°C 条件下)
峰值脉冲漏极电流(Ip):180A
栅极电荷(Qg):65nC(典型值)
输入电容(Ciss):2900pF
开关时间:开通延迟时间(td(on))=37ns,关断传播时间(t(off))=40ns
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GA1812A680FBAAT31G 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,适用于高压直流应用环境。
2. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
3. 快速开关特性,支持高频工作场景,减少开关损耗。
4. 出色的热性能设计,确保在高温条件下稳定运行。
5. 强大的浪涌电流能力,增强器件的鲁棒性和可靠性。
6. 采用 TO-247-3 封装,便于散热和安装,适合工业级和商业级应用。
7. 宽工作温度范围,适应极端环境条件下的使用需求。
该功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路,用于控制交流或直流电机的速度和方向。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业设备中的电磁阀和继电器驱动。
5. 不间断电源 (UPS) 系统中的功率管理。
6. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统 (BMS) 中的高侧或低侧开关。
7. 各类高电压和大电流负载的开关和保护电路。
GA1812A650TBAAT31G, IRFP260N, STP12NM65