GA1206A150KBLBR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,适用于高频、高效率电源转换应用。该芯片采用了先进的增强型 GaN 技术,能够显著提升系统的功率密度和效率,同时降低热损耗。其封装形式为表面贴装类型,适合自动化生产环境。
该型号是针对工业、通信和消费电子市场设计的,广泛应用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、适配器、无线充电器以及 LED 驱动器等场景。
额定电压:650V
连续漏极电流:150A
Rds(on)(导通电阻):15mΩ
栅极驱动电压:4V 至 8V
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:LGA
输出电容(Coss):90pF
输入电容(Ciss):2500pF
反向恢复时间(trr):40ns
GA1206A150KBLBR31G 具有卓越的电气性能,主要特点包括:
1. 高击穿电压(650V),支持广泛的电压输入范围,尤其适合高电压应用场景。
2. 极低的导通电阻(15mΩ),有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
3. 快速开关速度和低寄生电容,使得在高频条件下依然保持高效运行。
4. 增强的安全工作区(SOA),保证了器件在动态负载条件下的可靠性。
5. 热稳定性优异,能够在极端温度范围内正常工作。
6. 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,增强了器件的鲁棒性。
此外,由于采用了 GaN 材料,这款芯片相比传统硅基 MOSFET 在效率和尺寸上均有明显优势。
GA1206A150KBLBR31G 主要用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如笔记本电脑适配器、服务器电源和电信整流模块。
2. 无线充电设备:提供更高的能量传输效率。
3. 功率因数校正(PFC)电路:实现更高效的功率管理。
4. 电动工具和家用电器中的电机驱动器:
5. 新能源汽车的车载充电器(OBC)及 DC-DC 转换器:
6. LED 照明驱动器:支持大功率 LED 应用场景。
凭借其出色的性能,该芯片特别适合需要高频率、高效率和小体积解决方案的应用场合。
GAN064-650WSA
GAN063-650WSB
STGAP100
Infineon IPW60R060C6