GA1812A562KXAAT31G 是一款高精度、低功耗的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该型号具有优异的温度稳定性和频率特性,适合在高频电路中使用。其设计符合RoHS标准,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
该器件封装形式为1812尺寸,适合表面贴装工艺,能够有效提升电路板的集成度和可靠性。
类型:多层陶瓷电容器
容量:0.56μF
额定电压:50V
耐压范围:50V
工作温度:-55℃ 至 +125℃
损耗角正切值:≤0.0015(1kHz,20℃)
封装形式:1812
公差:±10%
GA1812A562KXAAT31G 具有以下特点:
1. 高稳定性:采用X7R介质材料,确保在温度变化范围内电容量保持稳定。
2. 低ESL/ESR:优化内部结构以降低等效串联电感和等效串联电阻,从而提高高频性能。
3. 小型化设计:1812尺寸便于实现高密度贴装,适应现代电子产品小型化需求。
4. 环保合规:产品符合RoHS指令要求,不含铅和其他有害物质。
5. 耐高温:能够在高达+125℃的环境中可靠运行,适用于苛刻的工作条件。
该电容器适用于多种场景:
1. 滤波器:用于电源滤波或信号滤波,改善电路的信噪比。
2. 耦合与去耦:在高频电路中作为耦合或去耦元件,减少噪声干扰。
3. 谐振电路:用于构建谐振回路,满足特定频率下的信号选择性。
4. 工业控制:适用于工业自动化设备中的高频信号处理。
5. 消费类电子:如智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理部分。
GA1812A562KXAAJ31G
GA1812A562KXAAK31G
GA1812A562KXAAL31G