WS24M2T-B 是一款基于 MOSFET 技术的双通道功率开关器件,广泛应用于电源管理、负载切换以及过流保护等场景。该芯片采用小型化封装设计,具备低导通电阻和高耐压能力,适合需要高效能与稳定性的电路系统。
其主要功能是通过集成两个独立的 N 沟道增强型场效应晶体管(NMOS),实现对两路输出信号或负载的精确控制。同时内置了过温保护和短路保护机制,确保在异常工作条件下不会损坏芯片本身或其他外围元件。
类型:双通道功率开关
封装形式:SOP-8
最大漏源电压Vds:30V
最大栅源电压Vgs:±12V
连续漏极电流Id:6A(典型值)
导通电阻Rds(on):50mΩ(最大值,Vgs=10V时)
工作温度范围:-40℃至+125℃
功耗:720mW(最大值,结温25℃时)
WS24M2T-B 的主要特点包括:
1. 双通道设计,支持同时控制两路负载。
2. 极低的导通电阻 Rds(on),有效降低功率损耗并提升效率。
3. 内置过温保护和短路保护功能,增强系统可靠性。
4. SOP-8 小型封装,节省 PCB 空间,便于设计紧凑型产品。
5. 支持高达 30V 的漏源电压,适应多种应用场景。
6. 宽广的工作温度范围,能够在恶劣环境下正常运行。
这些特性使 WS24M2T-B 成为消费电子、工业设备及汽车电子领域中理想的功率开关解决方案。
WS24M2T-B 常见的应用领域如下:
1. 消费类电子产品中的负载切换,例如智能手机和平板电脑的充电接口管理。
2. 工业控制系统内的继电器替代方案,用于提高响应速度和减少机械磨损。
3. 汽车电子系统中的电源分配与保护,如车身控制模块(BCM)和灯光控制单元。
4. 电池管理系统(BMS)中的电流监测与切断控制。
5. 各类适配器和转换器中的动态负载平衡功能实现。
由于其强大的性能和灵活性,WS24M2T-B 在上述以及其他类似需求的场景中表现出色。
WS24M2T-A, FDN326P, SI4470DY