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GA1812A561FBCAR31G 发布时间 时间:2025/7/12 2:21:39 查看 阅读:14

GA1812A561FBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等电力电子设备中。该芯片采用先进的沟槽式结构设计,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  此型号中的具体参数和封装形式针对工业级应用进行了优化,确保在严苛的工作环境下仍能保持良好的性能表现。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):30W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1812A561FBCAR31G具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻使其非常适合大电流应用,减少能量损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度可以降低开关损耗,并允许更高的工作频率。
  3. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性,防止静电放电对芯片造成损害。
  4. 采用了铜夹片工艺以改善热传导性能,从而提升整体可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)的设计中作为主开关管使用。
  2. 工业电机驱动系统中的功率级控制。
  3. 高效DC-DC转换器中的同步整流元件。
  4. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
  5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源发电系统中的功率调节模块。

替代型号

GA1812A561FBCAR29G, IRF540N, FDP157N06L

GA1812A561FBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-