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GA1812A560GBCAR31G 发布时间 时间:2025/7/1 6:53:32 查看 阅读:3

GA1812A560GBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,从而实现更高的效率和更低的功耗。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,适用于广泛的工业和消费类电子设备中,能够承受较高的电压和电流负载。

参数

型号:GA1812A560GBCAR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压Vds:600V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:12A(@25°C)
  导通电阻Rds(on):0.4Ω(@Vgs=10V)
  总功耗Ptot:175W
  结温范围Tj:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1812A560GBCAR31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,可降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 强大的雪崩能量耐受能力,确保在异常工作条件下具有良好的鲁棒性。
  4. 内置栅极保护二极管,防止栅极过压损坏。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
  6. 优异的热性能,便于散热管理,支持长时间稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,提供高效的电能转换。
  2. 工业电机驱动,用于精确控制电机的速度和扭矩。
  3. DC-DC转换器模块,满足不同电压等级需求。
  4. 逆变器及不间断电源(UPS)系统,保障供电稳定性。
  5. 太阳能微逆变器和储能系统,助力新能源技术发展。
  6. 各种大功率电子设备中的功率调节与保护电路。

替代型号

IRFP460, STP90NF10, FQA14P120

GA1812A560GBCAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容56 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-