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GA1812A560FXBAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 16:40:07 查看 阅读:21

GA1812A560FXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和出色的热性能,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、逆变器以及负载开关等场景。其封装形式为行业标准的表面贴装类型,有助于提高PCB布局灵活性并简化生产流程。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:38nC
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1812A560FXBAR31G具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗并提升整体效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作环境,适合现代电力电子设计需求。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
  4. 内置ESD保护机制,增强了产品的可靠性和抗干扰能力。
  5. 符合RoHS环保标准,满足绿色电子产品的要求。

应用

该型号的MOSFET广泛应用于各类电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  2. 汽车电子系统中的电机控制和电池管理。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与驱动。
  4. 可再生能源系统如太阳能逆变器中的功率转换。
  5. 各种消费类电子产品中的高效功率管理模块。

替代型号

IRF540N
  FDP5500
  STP40NF06L

GA1812A560FXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容56 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-