时间：2025/7/2 14:21:32
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GA1812A560FBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低能耗。
该器件采用了 TO-247 封装形式，适合大功率应用场景，并且其引脚布局设计有助于优化 PCB 布局和散热性能。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：56A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：115nC
开关时间（开启）：90ns
开关时间（关闭）：55ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GA1812A560FBEAR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可以有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度，支持高频操作，适用于现代高效电源转换需求。
3. 具备良好的热性能，能够承受高功率负载。
4. 内置 ESD 保护功能，提高了器件在实际使用中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装工艺，简化了生产流程并提升了装配良率。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业自动化设备
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电力管理系统
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品
7. 高效 LED 照明驱动器
GA1812A560FBGA31G, IRFP2907ZPBF
