GA1812A560FBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统效率并降低能耗。
该器件采用了 TO-247 封装形式,适合大功率应用场景,并且其引脚布局设计有助于优化 PCB 布局和散热性能。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:56A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:115nC
开关时间(开启):90ns
开关时间(关闭):55ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
GA1812A560FBEAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可以有效减少功率损耗,提升系统效率。
2. 高开关速度,支持高频操作,适用于现代高效电源转换需求。
3. 具备良好的热性能,能够承受高功率负载。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件在实际使用中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 支持表面贴装工艺,简化了生产流程并提升了装配良率。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业自动化设备
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电力管理系统
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品
7. 高效 LED 照明驱动器
GA1812A560FBGA31G, IRFP2907ZPBF