GA1812A560FBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备出色的导通电阻和开关性能。其主要应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
该型号中的关键参数包括:额定电压、导通电阻、封装类型等,适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子产品中。
额定电压:60V
导通电阻:4.5mΩ
最大电流:120A
封装类型:TO-263
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
栅极电荷:120nC
反向恢复时间:25ns
GA1812A560FBBAT31G 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能,能够支持高频应用环境。
3. 耐热增强型封装设计,提高散热性能。
4. 稳定的工作温度范围,适应多种恶劣环境。
5. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,确保系统运行安全。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 汽车电子系统,例如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
6. 消费类电子产品中的快速充电解决方案。
IRFZ44N
STP120NF06L
FDP5800