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GA1812A392KBLAR31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:15:29 查看 阅读:13

GA1812A392KBLAR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,适用于高频和高功率应用场景。该型号属于增强型场效应晶体管 (eGaN FET),采用先进的封装技术以优化散热性能,并提供出色的开关特性和低导通电阻。其主要应用领域包括电源转换、无线充电、激光雷达以及各类工业和消费电子设备。
  这款 GaN 晶体管相比传统硅基 MOSFET 具有更高的工作频率、更低的导通损耗和更快的开关速度,从而能够显著提高系统的整体效率并减小解决方案尺寸。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关频率:高达 5MHz
  结温范围:-40°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

GA1812A392KBLAR31G 的核心优势在于其卓越的高频性能和低功耗特性。首先,由于采用了氮化镓材料,该器件具备比传统硅基器件更低的寄生电容和导通电阻,使得其能够在高频条件下实现更高效的能量转换。
  其次,该晶体管支持非常高的开关频率(最高可达 5MHz),这使其非常适合用于高频 DC-DC 转换器、LLC 谐振转换器以及其他要求快速响应的应用场景。
  此外,该器件的 TO-247-4L 封装设计进一步增强了散热性能,确保即使在高负载条件下也能保持稳定运行。其宽广的工作温度范围(从 -40°C 到 +175°C)也使其成为各种恶劣环境下的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器
  2. 工业级电机驱动系统
  3. 太阳能逆变器
  4. 无线充电模块
  5. 激光雷达 (LiDAR) 系统
  6. 数据中心电源供应单元 (PSU)
  7. 快速充电适配器及其他消费类电子产品

替代型号

GA1812A392KBLAR29G
  GA1812A392KBLAR33G
  IRG4PH48UD
  STGG60N60HD

GA1812A392KBLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-