型号：FMD4-TRM-E
　　制造商：Littelfuse
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，典型7.0V
　　最大钳位电压（VC）：13.0V（在IPP=1A时）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.0A（8/20μs波形）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA
　　电容值（Cj）：每通道典型值2.5pF
　　封装类型：SOT-143（4引脚）
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　电源电压适用范围：适用于5V及以下逻辑电路

FMD4-TRM-E的核心特性在于其高性能的瞬态电压抑制能力与极低的寄生电容相结合，使其成为高速信号线路保护的理想解决方案。该器件集成了四个独立的TVS二极管通道，每个通道均可承受高达15kV的ESD冲击（依据IEC 61000-4-2标准），并且具备出色的重复性和稳定性。由于采用了先进的半导体工艺，FMD4-TRM-E在正常工作状态下呈现极低的漏电流（最大1μA），从而不会对被保护电路的功耗产生明显影响，这对于电池供电的便携式设备尤为重要。
　　该器件的电容值非常低，典型值仅为2.5pF每通道，这意味着它可以在不影响信号上升/下降时间和传输速率的前提下，有效滤除高频瞬态噪声。这一特性特别适用于现代高速数字接口，例如USB 2.0、蓝牙模块、Wi-Fi天线控制线路、触摸屏控制器等，这些应用对信号保真度要求极高。同时，FMD4-TRM-E具有双向极性设计，能够应对正负方向的瞬态电压冲击，增强了其在复杂电磁环境下的适应能力。
　　另一个关键优势是其紧凑的SOT-143封装形式，不仅节省PCB空间，还便于自动化贴装，提升生产效率。该封装具有良好的热稳定性和机械强度，能够在多次热循环后保持电气性能不变。此外，FMD4-TRM-E的钳位电压较低（最大13V），远低于大多数CMOS器件的击穿阈值，从而有效防止因过压导致的永久性损坏。其响应时间极快，通常在亚纳秒级别，几乎可以即时响应ESD事件，将能量迅速泄放到地线，保护后级芯片安全。
　　从系统设计角度看，FMD4-TRM-E无需额外偏置电源或控制信号即可自动工作，简化了电路设计并降低了整体成本。它还能与其他保护元件（如保险丝、压敏电阻）协同使用，构建多层次的防护体系。总之，FMD4-TRM-E凭借其高集成度、低电容、强抗扰能力和小型化封装，在现代电子系统中扮演着不可或缺的角色，尤其适合对可靠性和空间布局有严格要求的应用场景。

FMD4-TRM-E广泛应用于需要高等级静电放电保护的各类电子设备中。在消费类电子产品领域，它常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和数码相机中的高速数据接口保护，例如USB端口、耳机插孔、SIM卡槽和显示屏连接器等，防止用户日常操作中产生的静电损伤内部芯片。
　　在通信设备中，该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485串行通信线路、CAN总线节点以及无线模块（如Wi-Fi、Zigbee、LoRa）的天线控制引脚，提高系统的电磁兼容性和长期运行稳定性。工业控制系统中的传感器信号线、编码器输入、人机界面（HMI）按钮和触摸面板也常常采用FMD4-TRM-E进行瞬态抑制，以应对工厂环境中常见的电感负载开关引起的电压尖峰。
　　在汽车电子方面，尽管FMD4-TRM-E本身并非AEC-Q101认证器件，但其性能参数使其适用于部分非关键车载应用，如车内信息娱乐系统的外部接口、USB充电端口、OBD-II诊断接口等，提供基础级别的ESD防护。此外，医疗设备中对信号精度和安全性要求较高的便携式监护仪、血糖仪、手持超声探头等，也会选用此类低电容TVS阵列来保障患者和设备的安全。
　　总的来说，任何存在暴露在外的接口、频繁插拔操作或处于高静电风险环境中的电子系统，都可以从FMD4-TRM-E所提供的高效、紧凑型保护方案中受益。其通用性强、安装简便的特点使其成为工程师在进行EMI/ESD防护设计时的首选之一。

SP3051-04UTG
　　TPD4E004DPYR
　　ESD5451N05