时间：2025/5/29 11:54:00
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GA1812A392JXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率、高频开关电源转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关性能的特点。其封装形式为行业标准的 TO-263，适用于表面贴装技术 (SMT)，能够提供卓越的热性能和电气性能。
该芯片在设计时充分考虑了功率密度和系统效率的要求，特别适合需要紧凑型设计的应用场合。此外，其出色的耐用性和可靠性使其成为工业级和消费级电子产品的理想选择。
型号：GA1812A392JXAAR31G
封装：TO-263
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.5mΩ
ID（连续漏极电流）：75A
Qg（栅极电荷）：45nC
fT（截止频率）：3.5MHz
VGS（栅源电压）：±20V
Tj（工作结温范围）：-55°C 至 +175°C
1. 超低导通电阻 RDS(on)，有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 优异的热性能，确保长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 提供可靠的雪崩击穿保护功能，增强系统的鲁棒性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电动工具
5. 汽车电子系统
6. 工业自动化设备
7. 可再生能源逆变器
8. LED 驱动电路
9. 充电器及适配器解决方案
GA1812A392JXAAR29G
IRF3205
FDP157N06L
STP75NF06
