时间：2025/6/19 3:16:47
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GA1812A391JXBAR31G 是一款高性能功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺以实现高效的功率转换和开关操作。该芯片适用于高电流、高频应用场合，例如电源适配器、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
其封装形式为 TO-247，具备出色的散热性能和电气特性，能够满足严苛的工业及消费类电子需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
栅极电荷：95nC
导通电阻：0.06Ω
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GA1812A391JXBAR31G 具有低导通电阻和优化的开关性能，从而减少功率损耗并提升整体效率。
该器件采用了沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频工作条件下提供卓越的热稳定性和可靠性。
此外，它还具备快速开关速度和低栅极电荷的特点，有助于降低开关损耗。
在设计上，此功率 MOSFET 提供了良好的短路耐受能力，并且通过增强型绝缘结构提高了长期使用的安全性。
该产品支持表面贴装和通孔安装两种方式，方便用户根据具体应用选择合适的装配方法。
这款功率 MOSFET 广泛应用于开关电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器、电动车控制器以及其他需要高效功率管理的领域。
由于其高电流承载能力和宽工作温度范围，该芯片特别适合工业级和汽车级应用场景，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和 LED 驱动电路。
同时，它也常被用作同步整流器或负载开关，在便携式设备和消费电子产品中发挥重要作用。
GA1812A391JXBAXXX1G, IRFP460N, STP30NF65
