时间：2025/6/17 4:22:52
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GA1812A123JBBAT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，适用于高频和高效率的应用场景。该型号采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）设计，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其封装形式为表面贴装类型，便于自动化生产。这款晶体管广泛用于电源转换器、DC-DC转换器、无线充电设备以及其他需要高效能量转换的电子系统。
由于其先进的材料特性和优化的设计结构，GA1812A123JBBAT31G 在高频工作条件下表现尤为突出，能够显著降低开关损耗并提高整体系统的功率密度。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：25A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：40ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：D2PAK-7
存储温度范围：-65℃ 至 150℃
1. 使用氮化镓技术实现更低的导通电阻和开关损耗。
2. 高频率操作能力，适合于高频应用如无线充电、LED驱动等。
3. 具备快速开关速度和低栅极电荷，从而减少动态损耗。
4. 热性能优异，能够在较高环境温度下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 封装紧凑，易于集成到小型化设计中。
1. 开关电源（SMPS）中的主功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动和逆变器电路中的功率控制元件。
4. 高效谐振变换器和软开关拓扑中的关键组件。
5. 无线充电发射端及接收端的功率传输管理。
6. 工业自动化设备中的高频功率处理模块。
GA1812A123JBBAT21G
GA1812A123JBBAT41G
