GA1210Y824KXJAR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频、高功率密度的应用场景。该型号具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适合用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及通信基站等领域。其封装形式为表面贴装型,能够提供出色的散热性能和可靠性。
由于采用先进的 GaN 工艺,这款芯片在高频工作条件下依然能保持较低的能量损耗,同时具备良好的耐热特性和抗电磁干扰能力。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:5A
导通电阻:0.1Ω
栅极电荷:30nC
开关频率:高达5MHz
结温范围:-55℃至+175℃
GA1210Y824KXJAR31G 的核心优势在于其高效的能量转换能力和快速的动态响应。与传统的硅基 MOSFET 相比,它在开关速度上提升了数倍,并且显著降低了导通和开关损耗。
此外,该芯片支持宽禁带半导体技术,使其能够在更高的温度范围内稳定运行,同时提供了更小的封装尺寸以适应现代电子设备对空间的严格要求。
该器件还内置了多种保护功能,例如过流保护、短路保护和过温关断等,从而增强了系统的整体可靠性。
这款芯片广泛应用于各类高频高效电力电子系统中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电模块
4. 光伏逆变器
5. 数据中心电源
6. 汽车电子中的车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换器
7. 电信基站电源
其卓越的性能特别适合需要高效率和高功率密度的设计。
GS66508T,
GAN063-650WSB,
MP4306G