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GA1210Y824KXJAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:21:22 查看 阅读:11

GA1210Y824KXJAR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,适用于高频、高功率密度的应用场景。该型号具有极低的导通电阻和快速的开关速度,适合用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及通信基站等领域。其封装形式为表面贴装型,能够提供出色的散热性能和可靠性。
  由于采用先进的 GaN 工艺,这款芯片在高频工作条件下依然能保持较低的能量损耗,同时具备良好的耐热特性和抗电磁干扰能力。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:0.1Ω
  栅极电荷:30nC
  开关频率:高达5MHz
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

GA1210Y824KXJAR31G 的核心优势在于其高效的能量转换能力和快速的动态响应。与传统的硅基 MOSFET 相比,它在开关速度上提升了数倍,并且显著降低了导通和开关损耗。
  此外,该芯片支持宽禁带半导体技术,使其能够在更高的温度范围内稳定运行,同时提供了更小的封装尺寸以适应现代电子设备对空间的严格要求。
  该器件还内置了多种保护功能,例如过流保护、短路保护和过温关断等,从而增强了系统的整体可靠性。

应用

这款芯片广泛应用于各类高频高效电力电子系统中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 无线充电模块
  4. 光伏逆变器
  5. 数据中心电源
  6. 汽车电子中的车载充电器(OBC)和 DC/DC 转换器
  7. 电信基站电源
  其卓越的性能特别适合需要高效率和高功率密度的设计。

替代型号

GS66508T,
  GAN063-650WSB,
  MP4306G

GA1210Y824KXJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.82 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-