RF1136SR 时间：2025/8/16 6:59:11 阅读：26

RF1136SR是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的射频功率放大器（PA）芯片，主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该芯片设计用于在蜂窝通信系统中提供高线性度和高效率的功率放大，适用于2G、3G以及4G LTE等多种无线通信标准。RF1136SR采用GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺制造，能够在高频段提供稳定的性能。

参数

工作频率：800 MHz至900 MHz
　　输出功率：典型值为31 dBm（在饱和状态下）
　　增益：典型值为33 dB
　　效率：典型PAE（Power Added Efficiency）为50%
　　电源电压：典型工作电压为3.4 V至5.0 V
　　封装类型：20引脚QFN（Quad Flat No-leads）

特性

高输出功率和增益：RF1136SR能够提供高达31 dBm的输出功率，并具备33 dB的典型增益，适用于需要高功率放大的无线通信应用。
　　高效能：该芯片的PAE（功率附加效率）高达50%，有助于降低功耗并提高电池寿命，特别适用于对功耗敏感的移动设备。
　　宽电源电压范围：支持3.4 V至5.0 V的供电电压，增加了其在不同系统设计中的灵活性。
　　良好的线性度：在需要高信号保真度的应用中，如WCDMA和LTE系统，RF1136SR表现出良好的线性度，有助于减少信号失真和互调干扰。
　　热稳定性和可靠性：采用GaAs HBT工艺，确保了在高温环境下的稳定工作，并具备良好的长期可靠性。
　　集成度高：芯片内部集成了偏置控制电路和输入/输出匹配网络，减少了外部元件的需求，简化了系统设计。

应用

蜂窝通信基站：用于GSM、WCDMA和LTE等蜂窝通信系统的射频前端，提供高效的功率放大。
　　无线基础设施设备：适用于微蜂窝基站、中继器和远端射频单元（RRU）等无线基础设施设备。
　　工业和测试设备：可用于射频测试设备和工业通信系统，确保稳定的高功率输出。
　　移动终端设备：虽然主要针对基础设施应用，但在某些高功率移动终端设备中也可作为功率放大器使用。