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GA1210Y823JBJAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:18:36 查看 阅读:31

GA1210Y823JBJAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信系统中。该芯片采用先进的工艺制程,能够提供高增益、低噪声和出色的线性度,适用于无线通信基站、卫星通信以及雷达系统等场景。此外,该芯片具有良好的稳定性和可靠性,能够在宽温度范围内正常工作。

参数

型号:GA1210Y823JBJAT31G
  类型:功率放大器
  频率范围:800MHz - 2.7GHz
  增益:23dB
  输出功率(1dB 压缩点):35dBm
  效率:55%
  电源电压:12V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:QFN 5x5mm

特性

GA1210Y823JBJAT31G 芯片采用了最新的 GaN(氮化镓)技术,具备卓越的高频性能和功率处理能力。其在宽频带范围内表现出稳定的增益特性和较低的功耗,非常适合需要高效率和高输出功率的应用场景。
  此外,该芯片内置了匹配网络,减少了外部元件的需求,简化了设计流程。同时,它还具有过温保护和负载牵引保护功能,进一步提升了系统的可靠性和安全性。

应用

GA1210Y823JBJAT31G 主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站:支持 LTE 和 5G NR 网络中的信号放大。
  2. 微波链路:用于点对点或点对多点微波通信系统。
  3. 卫星通信:为卫星地面站提供高功率信号传输。
  4. 雷达系统:应用于气象雷达、空中交通管制雷达等领域。
  5. 工业与科学设备:如高频加热装置和等离子体发生器等。

替代型号

GA1210Y823JBJAT32G, GA1210Y823JBJAT33G

GA1210Y823JBJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-