GA1210Y822MBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电机驱动等场景。
这款芯片通过优化的封装设计和材料选择,有效提升了散热性能,从而提高了整体系统的可靠性和效率。
型号:GA1210Y822MBEAT31G
类型:N-Channel MOSFET
VDS(最大漏源电压):120V
RDS(on)(导通电阻):5mΩ
ID(持续漏极电流):76A
Qg(栅极电荷):49nC
fSW(建议开关频率):500kHz
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y822MBEAT31G 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),在高负载电流下可显著降低功耗。
2. 快速开关速度,能够适应高频开关应用的需求,减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受性。
4. 改进的热性能设计,确保在高功率应用场景中保持稳定的运行状态。
5. 宽工作温度范围,适合工业级及汽车级应用环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如笔记本电脑适配器和工业电源。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源系统中的逆变器和转换器。
4. 汽车电子设备,例如电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 各种需要高效功率转换和控制的工业设备。
GA1210Y822MBEAT31G-A, IRFZ44N, FDP5500