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GA1210Y822MBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 22:44:59 查看 阅读:5

GA1210Y822MBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电机驱动等场景。
  这款芯片通过优化的封装设计和材料选择,有效提升了散热性能,从而提高了整体系统的可靠性和效率。

参数

型号:GA1210Y822MBEAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(最大漏源电压):120V
  RDS(on)(导通电阻):5mΩ
  ID(持续漏极电流):76A
  Qg(栅极电荷):49nC
  fSW(建议开关频率):500kHz
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y822MBEAT31G 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),在高负载电流下可显著降低功耗。
  2. 快速开关速度,能够适应高频开关应用的需求,减少开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受性。
  4. 改进的热性能设计,确保在高功率应用场景中保持稳定的运行状态。
  5. 宽工作温度范围,适合工业级及汽车级应用环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如笔记本电脑适配器和工业电源。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 新能源系统中的逆变器和转换器。
  4. 汽车电子设备,例如电池管理系统 (BMS) 和车载充电器。
  5. 大功率 LED 照明驱动电路。
  6. 各种需要高效功率转换和控制的工业设备。

替代型号

GA1210Y822MBEAT31G-A, IRFZ44N, FDP5500

GA1210Y822MBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-