类型：双向 ESD 保护二极管
　　工作电压：3.3V
　　最大反向关态电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小 4.0V（测试电流为 1mA）
　　钳位电压（VC）：最大 10.3V（在 IPP = 2A 时）
　　峰值脉冲电流（IPP）：2A（8/20μs 波形）
　　电容（CT）：最大 80pF（在 Vr = 0V，f = 1MHz）
　　漏电流（IR）：最大 100nA（在 VRWM = 3.3V）
　　封装：SOD-523
　　安装类型：表面贴装

LESD5L3.3CT1G 的主要特性之一是其低工作电压和双向保护功能，使其适用于正负极性都可能出现的 ESD 事件。其低钳位电压确保在发生静电放电时，能够迅速将电压限制在安全范围内，从而保护后级电路不受损坏。此外，该器件的电容值较低（最大 80pF），非常适合用于高速信号线路的保护，不会对信号完整性造成明显影响。LESD5L3.3CT1G 采用无铅封装，符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于各种环保要求较高的电子产品。其响应时间极快，能够在纳秒级别内对瞬态电压做出反应，确保电路的安全性和稳定性。
　　该器件的另一个显著特点是其高可靠性和耐用性。它能够在恶劣的电气环境下长期工作，提供持续的保护功能。LESD5L3.3CT1G 还具有良好的热稳定性和较高的浪涌承受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。

LESD5L3.3CT1G 主要用于需要 ESD 保护的电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携式设备。此外，它也广泛应用于通信设备、USB 接口保护、HDMI 接口、以太网端口以及各种高速数据传输线路的保护。由于其低电容特性，特别适用于保护敏感的模拟和数字信号线路。LESD5L3.3CT1G 也可用于汽车电子系统中，例如车载娱乐系统、导航系统和车载通信模块，以防止静电放电对系统造成干扰或损坏。

LESD5L3.3CT1G 可以使用类似的 ESD 保护二极管作为替代，例如 NXP 的 PESD5L3.3AVF 和 STMicroelectronics 的 ESD5D3.3V。这些型号在电气特性和封装形式上与 LESD5L3.3CT1G 相似，能够提供相近的保护性能。