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GA1210Y684KXJAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:57:17 查看 阅读:9

GA1210Y684KXJAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率控制的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适合在高温环境下长时间稳定工作。
  这款芯片的主要特点是其优异的电气特性和可靠性,能够有效降低功耗并提升系统效率。其封装形式经过优化设计,便于安装和散热。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:120nC
  开关速度:50ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y684KXJAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可显著减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
  3. 内置过流保护和热关断功能,提升了系统的安全性和稳定性。
  4. 采用坚固耐用的封装技术,能够在恶劣的工作条件下保持长期稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 支持大电流输出,满足高功率应用需求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计。
  2. 工业电机驱动与控制。
  3. 高效 DC-DC 转换器。
  4. 新能源汽车的逆变器及电池管理系统。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 大功率 LED 驱动电路。

替代型号

IRFP2907, FDP18N65C3, STP120NF60

GA1210Y684KXJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-