您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGX40N60BD1

IXGX40N60BD1 发布时间 时间:2025/8/6 4:25:02 查看 阅读:21

IXGX40N60BD1 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司)制造的高功率 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),广泛用于需要高效率和高可靠性的工业和电源应用中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,非常适合高频开关和大功率场合。IXGX40N60BD1 采用 TO-247 封装,具备良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型:N 沟道 IGBT
  集电极-发射极电压(VCES):600 V
  额定集电极电流(IC):40 A
  栅极-发射极电压(VGE):±20 V
  导通压降(VCEsat):典型值 1.55 V(在 IC=40 A)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  短路耐受能力:有
  封装尺寸:约 15.9 mm x 6.4 mm x 5.2 mm

特性

IXGX40N60BD1 是一款专为高功率和高效率设计的 IGBT,其主要特性包括出色的导通和开关性能、高短路耐受能力以及宽泛的工作温度范围。该器件在设计上采用了先进的沟槽门结构技术,使得导通压降(VCEsat)显著降低,从而提高了整体效率并减少了散热需求。此外,其±20 V 的栅极-发射极电压允许使用标准的栅极驱动电路,增强了系统设计的灵活性。
  该 IGBT 的 TO-247 封装提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度和稳定性的应用场合。IXGX40N60BD1 还具有良好的抗电磁干扰(EMI)性能,有助于降低系统噪声并提高整体可靠性。其短路耐受能力使得该器件在意外过载情况下也能保持稳定运行,避免损坏,适用于电机控制、电源转换和工业逆变器等关键应用。
  此外,IXGX40N60BD1 在制造过程中采用了严格的质量控制流程,确保了其在极端环境下的长期稳定性和耐用性。该器件广泛应用于工业电源、UPS 系统、太阳能逆变器和电焊设备等高功率电子系统中。

应用

IXGX40N60BD1 主要用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的工业和电源应用。典型应用场景包括工业逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊设备、电机驱动器和高功率开关电源等。其优异的导通和开关特性使其成为高频功率转换系统的理想选择。此外,该器件在电动汽车充电设备、储能系统和工业自动化设备中也有广泛应用。

替代型号

IXGH40N60CD1, IXGX40N60C2D1, FGA40N60SMD

IXGX40N60BD1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGX40N60BD1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大250W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件