您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y683MXAAT31G

GA1210Y683MXAAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:55:54 查看 阅读:4

GA1210Y683MXAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该芯片主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。
  其高可靠性与低导通电阻的特点,使得它在众多功率转换场景下具有显著的优势。

参数

型号:GA1210Y683MXAAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
  功耗(Ptot):30W
  工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

GA1210Y683MXAAT31G 的核心优势在于其超低的导通电阻,这可以有效降低功率损耗并提升系统效率。同时,该产品具备快速开关性能和良好的热稳定性。
  此外,它的耐高温能力也使其适用于极端环境下的应用需求,如工业级电源、汽车电子和新能源领域中的光伏逆变等。芯片内部集成有保护电路,可防止过流及过温情况发生,从而提高了整体系统的安全性。

应用

这款MOSFET广泛用于各种功率转换场合,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管
  2. 电动车辆驱动控制器中的功率模块
  3. 高效DC-DC转换器
  4. 光伏逆变器中的功率管理单元
  5. 工业自动化设备中的电机驱动控制
  由于其出色的电气性能,此型号特别适合需要高效率、高可靠性的应用场景。

替代型号

GA1210Y683MXAAT32G, IRF840, FDP5500

GA1210Y683MXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-