时间：2025/5/22 20:06:14
阅读：25
CDR31BX182BKZSAT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率密度和高效能转换场景。该型号属于 CDR 系列，专为工业、汽车及消费电子领域的开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器设计。其采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高频率切换性能之间达到了良好平衡。
此外，该器件具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
功耗(PD)：200W
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247-3
CDR31BX182BKZSAT 的主要特点是其超低导通电阻（仅 2.5mΩ），这使得其在大电流应用中能够显著降低传导损耗并提升系统效率。同时，该器件具有较高的漏源电压（60V）和强大的连续漏极电流承载能力（40A）。
其快速开关性能得益于较低的栅极电荷（75nC），可有效减少开关损耗。此外，器件支持宽广的工作温度范围（-55℃ 到 +175℃），适用于极端环境下的操作。它还通过了多项可靠性测试，包括高温存储、湿度偏压和机械冲击测试，确保长期使用的稳定性。
另外，其 TO-247-3 封装提供了良好的散热性能，适合需要高效热管理的设计。
CDR31BX182BKZSAT 广泛用于各种电力电子设备，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动控制电路。
3. 高效 DC-DC 转换器中的功率级开关。
4. 工业自动化设备中的负载开关与保护电路。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
由于其卓越的电气性能和可靠性，该器件成为许多高要求应用的理想选择。
CDR31BX180BKZSAT, CDR31BX185BKZSAT, IRF3205, FDP16N60
