时间：2025/9/14 1:41:38
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2N7002,235 是一款常用的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关和放大电路中。该器件采用小信号MOSFET设计，适用于低电压、低电流应用。其封装形式为SOT-23，便于在各种电子设备中使用。2N7002,235 提供了优良的性能和可靠性，是许多电子工程师的首选器件。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（Id）：100mA
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值）
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
2N7002,235 MOSFET具有多个显著特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其高耐压能力允许在较高电压环境下工作，提供更广泛的适用性。其次，该器件具备较低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。此外，其栅极驱动要求较低，适合与数字电路配合使用。该MOSFET的封装设计紧凑，适合在空间受限的电路中使用，并且具有良好的热稳定性和可靠性。这些特性共同确保了2N7002,235 在多种应用中的高性能表现。
2N7002,235 MOSFET常用于开关电路、信号放大、电源管理和逻辑电路中。它适用于小型电子设备、消费电子产品和工业控制系统。在数字电路中，该器件可用作开关元件，控制负载的通断；在模拟电路中，则可用于信号放大或作为可变电阻使用。此外，该MOSFET也可用于LED驱动、继电器驱动和电机控制等应用场景。由于其高可靠性和紧凑封装，2N7002,235 在便携式设备、通信设备和传感器电路中也得到了广泛应用。
BS170, 2N7000, FDN301N
