时间：2025/8/5 20:34:53
阅读：23
IXTC130N15T 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点。IXTC130N15T 采用 TO-220 封装形式，适用于各种中高功率应用场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理系统和工业自动化设备等。该器件具有良好的热性能和电流处理能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大漏极电流(Id)：130A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：约3.2mΩ（最大值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：约2.5V~4V
最大功率耗散(Pd)：约160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
IXTC130N15T 具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力（额定漏极电流为130A）使其适用于高功率密度设计。
其次，IXTC130N15T 采用了先进的沟槽栅技术，提供了快速的开关性能，有助于减少开关损耗并提升动态响应能力，适用于高频开关应用。此外，该器件的 TO-220 封装结构具有良好的散热性能，能够有效传导热量，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发过压或负载突变情况下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V~15V），兼容多种常见的栅极驱动电路，简化了设计与集成。同时，该器件具有良好的短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
IXTC130N15T 主要应用于需要高效功率控制的场合。典型应用包括同步整流式 DC-DC 转换器、高功率电机控制器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、工业电源模块以及电动车和电动工具的驱动电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也常用于并联功率拓扑中，以提高系统整体的输出能力和效率。此外，IXTC130N15T 在太阳能逆变器、储能系统和工业自动化控制设备中也有广泛应用。
SiZ130DT,TNTC130N15K
