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GA1210Y683JXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:53:45 查看 阅读:8

GA1210Y683JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升电路效率并降低功耗。
  该型号属于沟道增强型MOSFET,具体为N沟道类型,广泛适用于需要高效能和可靠性的电子系统中。

参数

最大漏源电压:120V
  最大连续漏极电流:10A
  导通电阻(典型值):6.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1500pF
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1210Y683JXAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 采用DPAK封装形式,提供良好的散热性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 内置ESD保护功能,提高器件抗静电能力。

应用

该器件的主要应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 汽车电子中的负载切换与保护。
  4. DC-DC转换器及逆变器设计。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. LED照明驱动电路。

替代型号

GA1210Y683JXAAR31F, IRFZ44N, FDP5570N

GA1210Y683JXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-