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GA1210Y682JBLAR31G 发布时间 时间:2025/6/17 15:56:28 查看 阅读:4

GA1210Y682JBLAR31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信系统中。该芯片基于先进的 GaN(氮化镓)工艺制造,具有高效率、高增益和宽带宽的特点,适用于无线基础设施、雷达以及微波点对点通信等应用领域。
  该芯片设计用于 S 波段频率范围,并能提供卓越的线性输出功率性能,同时支持多种调制方式以满足现代通信系统的复杂需求。此外,其紧凑的设计和出色的热管理能力也使其成为空间受限环境下的理想选择。

参数

型号:GA1210Y682JBLAR31G
  类型:功率放大器
  工艺:GaN(氮化镓)
  工作频率范围:2.7 GHz 至 3.5 GHz
  饱和输出功率:45 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:28 V
  静态电流:3 A
  封装形式:QFN-32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

1. 高效率:采用氮化镓技术,能够实现超过 50% 的功率附加效率(PAE)。
  2. 宽带操作:覆盖 2.7 GHz 至 3.5 GHz 的频率范围,适用于多种通信标准。
  3. 高输出功率:在饱和状态下可提供高达 45 dBm 的输出功率。
  4. 良好的线性度:支持复杂的数字调制信号,确保高质量的传输。
  5. 热管理:内置散热片设计,能够有效降低运行温度,提高可靠性。
  6. 小型化:采用 QFN-32 封装,尺寸紧凑,适合空间有限的应用场景。

应用

1. 无线基础设施:如基站功放、小型蜂窝网络。
  2. 微波点对点通信:
  3. 军事与航空航天:包括雷达系统、卫星通信终端。
  4. 工业、科学和医疗(ISM)频段设备:例如工业加热装置、无线传感器网络。
  5. 测试测量仪器:为实验室测试提供稳定高效的射频源。

替代型号

GA1210Y682JBLAR32G
  GA1210Y682JBLAR33G

GA1210Y682JBLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-