GA1210Y564JXXAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于电源管理、开关电路和信号调节等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。其封装形式为表面贴装类型,便于自动化生产,适合多种工业及消费类电子设备。
型号:GA1210Y564JXXAR31G
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源电压(Vdss):120V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
功耗(PD):120W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-263-3
GA1210Y564JXXAR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有效减少功率损耗。
2. 高开关速度,支持高频应用。
3. 优异的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常运行。
4. 提供强大的过流保护功能,确保系统安全。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 芯片适用于多种场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS)。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 消费类电子产品中的负载切换。
6. 通信设备中的信号调节与功率管理。
GA1210Y564JXXBR31G, IRFZ44N, FDP16N12L