您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y564JXXAR31G

GA1210Y564JXXAR31G 发布时间 时间:2025/5/27 8:46:28 查看 阅读:7

GA1210Y564JXXAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于电源管理、开关电路和信号调节等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性。其封装形式为表面贴装类型,便于自动化生产,适合多种工业及消费类电子设备。

参数

型号:GA1210Y564JXXAR31G
  类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源电压(Vdss):120V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  功耗(PD):120W
  工作温度范围:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-263-3

特性

GA1210Y564JXXAR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有效减少功率损耗。
  2. 高开关速度,支持高频应用。
  3. 优异的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常运行。
  4. 提供强大的过流保护功能,确保系统安全。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款 MOSFET 芯片适用于多种场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 电池管理系统 (BMS)。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 消费类电子产品中的负载切换。
  6. 通信设备中的信号调节与功率管理。

替代型号

GA1210Y564JXXBR31G, IRFZ44N, FDP16N12L

GA1210Y564JXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.56 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-