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GA1210Y561KXLAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 18:32:33 查看 阅读:3

GA1210Y561KXLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效率和低功耗的场景中。
  其主要特点是具备较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,它还具有快速开关能力,适用于高频应用环境。

参数

型号:GA1210Y561KXLAR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  Vgs(栅极-源极电压):±20V
  Vds(漏极-源极电压):120V
  Rds(on)(导通电阻):45mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  Id(连续漏极电流):56A
  Ptot(总功耗):175W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y561KXLAR31G 的关键特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),在高负载条件下能显著降低功率损耗。
  2. 高击穿电压(Vds = 120V),确保在高压环境下仍能稳定运行。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,非常适合开关电源和逆变器等应用。
  4. 强大的电流承载能力(高达 56A),适合大功率应用场景。
  5. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),能够适应极端环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

该芯片主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,用于提升功率转换效率。
  2. 电机驱动控制,特别是在工业自动化设备中。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  4. 电动车和混合动力车中的电力管理系统。
  5. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
  6. 工业级不间断电源 (UPS) 系统。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5580
  STP55NF06L

GA1210Y561KXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-