时间：2025/6/19 4:44:04
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GA1210Y561KBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其设计旨在提高效率并降低功耗，非常适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
型号：GA1210Y561KBEAR31G
类型：N沟道功率MOSFET
封装形式：TO-247
VDS（漏源电压）：1200V
RDS(on)（导通电阻）：0.05Ω
ID（连续漏极电流）：31A
fT（特征频率）：25MHz
Qg（栅极电荷）：85nC
VGS(th)（阈值电压）：3V
Tj（结温范围）：-55°C 至 175°C
GA1210Y561KBEAR31G 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大支持1200V的工作电压，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (RDS(on))，仅为0.05Ω，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，特征频率高达25MHz，适合高频应用场景。
4. 低栅极电荷 (Qg)，减少开关过程中的能量损耗。
5. 宽工作温度范围，能够适应极端气候条件下的使用需求。
6. 可靠性高，具备强大的抗浪涌电流能力，确保长期稳定运行。
这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源等。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压及反激式转换器。
3. 电机驱动与控制，例如工业自动化设备中的伺服电机驱动。
4. 太阳能逆变器，用于光伏系统的直流到交流转换。
5. 电动汽车充电站及相关电力电子设备。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IRGB4012DPBF, CSD19536KCS, FGH12N120AMD
