您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y561JXEAT31G

GA1210Y561JXEAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:41:16 查看 阅读:11

GA1210Y561JXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够在高频条件下实现高效能量转换。
  其封装形式为TO-263(D2PAK),能够提供良好的散热性能和电气稳定性,适合在高温环境下长期工作。

参数

型号:GA1210Y561JXEAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ (典型值,Vgs=10V)
  功耗(Ptot):170W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263 (D2PAK)

特性

GA1210Y561JXEAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高达1MHz的工作频率,满足高频应用需求。
  3. 具备优秀的热稳定性和耐热冲击能力,适用于恶劣环境下的电力电子设备。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了反向电流处理能力,减少开关噪声。
  5. 小巧的D2PAK封装设计,在保证散热性能的同时节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主功率开关管。
  2. 各类DC-DC转换器,例如降压或升压电路。
  3. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动及保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统的功率转换模块。
  6. 高效节能LED驱动电路的设计。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5560
  AON6710

GA1210Y561JXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-