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GA1210Y183MBJAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:20:34 查看 阅读:11

GA1210Y183MBJAR31G 是一款高性能的功率晶体管,属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)系列。该型号广泛应用于需要高效率、低损耗和快速开关特性的电路中,例如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。它采用了先进的制造工艺,能够提供优异的导通电阻和开关性能。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  最大漏源电压(Vdss):1200V
  最大连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  工作温度范围(Top):-55°C to +150°C
  封装形式:D2PAK

特性

GA1210Y183MBJAR31G 具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力,适用于高压环境下的应用。
  2. 低导通电阻设计,有助于减少功率损耗并提高整体效率。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,适合现代电力电子设备的需求。
  4. 稳定的电气性能,即使在极端温度条件下也能保持良好的表现。
  5. 封装坚固耐用,能够承受较高的机械应力和热应力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

这款 MOSFET 芯片适用于多种工业和消费类电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关器件。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压功能。
  3. 电机驱动中的逆变桥臂组件。
  4. 太阳能逆变器中的功率模块部分。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 电动车充电器和其他高压大电流应用场景。

替代型号

IRGB40B12DPBF, FGH09N120AND, STW97N12MD2

GA1210Y183MBJAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-