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GA1210Y393MBEAT31G 发布时间 时间:2025/6/6 19:45:01 查看 阅读:3

GA1210Y393MBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
  这款器件主要针对需要高效能和高可靠性的应用设计,适用于工业、消费电子以及通信设备中的各种场景。

参数

型号:GA1210Y393MBEAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极电压(Vdss):120V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  总功耗(Ptot):280W
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1210Y393MBEAT31G 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 强大的热性能表现,能够承受较高的功耗。
  4. 提供优异的雪崩能力,增强器件的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  这些特性使得 GA1210Y393MBEAT31G 在各类高要求的电力电子应用中表现出色。

应用

该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. DC-DC 转换器。
  3. 电机控制与驱动。
  4. 工业逆变器和 UPS 系统。
  5. 汽车电子中的负载切换。
  6. 太阳能微逆变器及储能系统。
  由于其强大的电气性能和稳定性,它在上述领域中均能实现高效稳定的运行。

替代型号

GA1210Y392MBEAT31G, IRFZ44N, FDP5500

GA1210Y393MBEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-