您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210Y392MXEAT31G

GA1210Y392MXEAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 22:43:53 查看 阅读:13

GA1210Y392MXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  这款功率MOSFET属于N沟道类型,具有快速开关速度和出色的热稳定性,适合在高频率和高电流条件下运行。其封装形式为TO-263(D2PAK),便于散热和安装。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:45A
  导通电阻:3.5mΩ
  总闸极电荷:80nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y392MXEAT31G 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻:仅为3.5mΩ,可有效减少功率损耗。
  2. 高电流能力:支持高达45A的持续漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关性能:具备较低的总闸极电荷(80nC),能够实现高效的高频开关操作。
  4. 热稳定性强:能够在极端温度范围内正常工作,从-55℃到+175℃。
  5. 耐用性强:通过了严格的可靠性测试,确保长期使用的稳定性和可靠性。
  6. 封装设计优化:采用TO-263封装,提供良好的散热性能和易于安装的表面贴装选项。

应用

该芯片广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关元件,用于高效转换输入电压至所需的输出电压。
  2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制电路。
  3. 负载切换:用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。
  4. 工业自动化:如变频器、伺服驱动器和逆变器等工业级设备。
  5. 汽车电子:可用于汽车电池管理系统(BMS)、发动机控制单元(ECU)以及其他车载电子系统。

替代型号

GA1210Y392MXEAT32G, IRF3205, FDP55N06L

GA1210Y392MXEAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-