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GA1210Y274MXJAT31G 发布时间 时间:2025/6/26 15:29:43 查看 阅读:7

GA1210Y274MXJAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的硅锗(SiGe)制造工艺,能够在高频条件下提供高增益、高线性和低失真的性能表现。
  其主要功能是放大射频信号,适用于无线通信基站、卫星通信和雷达系统等对性能要求极高的场景。

参数

型号:GA1210Y274MXJAT31G
  工作频率范围:1.8 GHz 至 3.5 GHz
  增益:19 dB
  输出功率(P1dB):32 dBm
  饱和输出功率:35 dBm
  电源电压:5 V
  静态电流:400 mA
  封装形式:QFN-20
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y274MXJAT31G 芯片具有以下关键特性:
  1. 高增益和高效率,在高频段表现出色,满足现代通信系统的需求。
  2. 内置匹配网络,减少了外部元件需求并简化了设计过程。
  3. 优秀的线性度,适合于多载波和复杂调制信号的应用场景。
  4. 提供卓越的热稳定性和可靠性,能够承受极端的工作环境。
  5. 小型化封装设计,有助于节省电路板空间。
  6. 低噪声系数,确保高质量的信号传输。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站的射频功率放大。
  2. 卫星通信设备中的信号增强。
  3. 雷达系统的发射机模块。
  4. 点对点微波通信链路。
  5. 测试与测量仪器中需要高精度放大的部分。
  这些应用都依赖于 GA1210Y274MXJAT31G 的强大性能来实现高效稳定的信号处理。

替代型号

GA1210Y275MXJAT31G, PA3500X274MXJAT31G

GA1210Y274MXJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.27 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-