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GA1210Y273JBBAT31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:55:08 查看 阅读:9

GA1210Y273JBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率管理的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  该芯片通常以表面贴装的形式封装,适用于自动化生产和紧凑型设计需求,同时其出色的热性能也确保了在高负载条件下的稳定运行。

参数

类型:功率MOSFET
  导通电阻:1.5mΩ(典型值)
  耐压:100V
  最大电流:140A
  栅极电荷:45nC
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

GA1210Y273JBBAT31G具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电压,确保在复杂电路环境中可靠运行。
  3. 快速开关特性,适合高频应用场合。
  4. 优秀的热性能,支持高功率密度设计。
  5. 高电流承载能力,满足大功率应用场景的需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子设备中。

应用

该芯片广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS),用于提高电源转换效率。
  2. DC-DC转换器,实现高效的电压调节功能。
  3. 电机驱动电路,提供精确的电流控制。
  4. 电池管理系统(BMS),用于保护和优化电池性能。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。

替代型号

IRF3205, AO3400, FDP18N10

GA1210Y273JBBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-