时间：2025/6/26 11:54:05
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GA1210Y184MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，通常用于数据存储和缓存操作。该型号属于 NAND Flash 类型的存储器，广泛应用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统中。
其主要功能是提供大容量的数据存储能力，并具有较高的读写速度和较低的功耗，适合对性能和成本均有较高要求的应用场景。
类型：NAND Flash
接口：Toggle Mode 2.0
容量：128GB
电压：1.8V
封装：BGA
工作温度：-40℃ 至 +85℃
引脚数：169
数据保存时间：10年
GA1210Y184MBXAT31G 具有以下关键特性：
1. 高密度存储：采用先进的工艺技术，支持高达 128GB 的存储容量。
2. 快速读写：通过 Toggle Mode 2.0 接口实现高带宽的数据传输，满足高速应用需求。
3. 低功耗设计：优化了芯片的工作模式，在待机和活动状态下的功耗均较低。
4. 稳定性与可靠性：具备错误校正码（ECC）机制，确保数据的完整性和可靠性。
5. 广泛的工作温度范围：能够在极端环境下正常运行，适应多种应用场景。
6. 小尺寸封装：使用 BGA 封装形式，节省 PCB 空间并提高集成度。
该芯片适用于以下领域：
1. 智能手机和平板电脑中的内部存储。
2. SSD 固态硬盘的数据存储模块。
3. 工业控制设备中的日志记录和数据缓冲。
4. 车载娱乐系统及导航设备的存储单元。
5. 医疗设备中的患者数据存储。
6. IoT 设备中的数据缓存和本地存储解决方案。
GA1210Y184MBXBT31G
GA1210Y184MCXAT31G
GA1210Y184MDXAT31G
