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GA1210Y184JXBAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 11:08:17 查看 阅读:10

GA1210Y184JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著提升系统的整体性能。
  这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计优化了动态特性和静态特性之间的平衡,适用于需要快速开关和低损耗的应用环境。

参数

型号:GA1210Y184JXBAR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  总电容(Ciss):2000pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y184JXBAR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:支持高达 1200V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为 150mΩ,可有效降低功耗。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输入电容,有助于减少开关损耗。
  4. 宽温工作范围:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端温度下稳定运行。
  5. 高可靠性:通过多项严格的测试和认证,确保在各种恶劣环境下的长期稳定性。
  6. 小封装尺寸:便于 PCB 布局和散热设计,同时节省空间。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动汽车(EV)充电设备
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块
  由于其出色的电气特性和可靠性,GA1210Y184JXBAR31G 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

GA1210Y184JXBAR32G, IRFP260N, STP10NK120Z

GA1210Y184JXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-