GA1210Y184JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著提升系统的整体性能。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其设计优化了动态特性和静态特性之间的平衡,适用于需要快速开关和低损耗的应用环境。
型号:GA1210Y184JXBAR31G
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):150mΩ
栅极电荷(Qg):65nC
总电容(Ciss):2000pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y184JXBAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐压能力:支持高达 1200V 的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为 150mΩ,可有效降低功耗。
3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输入电容,有助于减少开关损耗。
4. 宽温工作范围:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端温度下稳定运行。
5. 高可靠性:通过多项严格的测试和认证,确保在各种恶劣环境下的长期稳定性。
6. 小封装尺寸:便于 PCB 布局和散热设计,同时节省空间。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车(EV)充电设备
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
由于其出色的电气特性和可靠性,GA1210Y184JXBAR31G 成为许多高要求应用的理想选择。
GA1210Y184JXBAR32G, IRFP260N, STP10NK120Z