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SMK325BJ333MN-T 发布时间 时间:2025/6/9 15:56:35 查看 阅读:35

SMK325BJ333MN-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  这款功率MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力。其封装形式专为高功率密度应用设计,适合在严苛的工作环境下使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):1200V
  最大连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ
  栅极阈值电压(Vgs(th)):4V
  功耗(Ptot):750W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

SMK325BJ333MN-T 的主要特点是高耐压能力与低导通电阻相结合,使得它在高电压和大电流条件下仍然保持高效的性能表现。
  此外,该芯片还具有出色的热稳定性和抗干扰能力,可以有效减少系统损耗并提高整体可靠性。
  快速开关特性使其非常适合高频开关应用,例如PWM控制器或逆变器电路。同时,其优化的封装设计有助于改善散热性能,从而延长使用寿命。

应用

该功率MOSFET适用于多种工业及消费类电子产品中,典型应用场景包括但不限于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动与控制
  - 太阳能逆变器
  - 不间断电源(UPS)
  - 工业自动化设备中的功率管理模块
  - 高效节能型家电产品中的功率调节单元

替代型号

SMK325BJ333MNT, IRFP260N, FDP18N12E

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SMK325BJ333MN-T参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥1.07785卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.083"(2.10mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-