时间：2025/6/26 11:52:06
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GA1210Y183JXEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于各类电源管理场景，如 DC-DC 转换器、开关电源以及电机驱动等应用。
其封装形式和电气性能经过优化，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
型号：GA1210Y183JXEAR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷(Qg)：35nC
反向恢复时间(trr)：9ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
GA1210Y183JXEAR31G 的主要特点是低导通电阻与高效率的结合。其 Rds(on) 值非常低，能够有效减少导通损耗。此外，它具备快速的开关速度和较低的栅极电荷，从而进一步降低开关损耗。
该芯片还具有优异的热稳定性，在高温环境下也能保持良好的性能。其坚固的结构设计使得它可以承受较高的瞬态电压，并且拥有强大的抗雪崩能力。
在实际应用中，这款 MOSFET 的高可靠性使其成为许多工业级和汽车级应用的理想选择。
GA1210Y183JXEAR31G 广泛应用于各种需要高效能功率转换的场合，例如：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 工业自动化设备中的负载切换
- 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电源管理系统
由于其出色的性能和耐用性，该器件非常适合要求苛刻的工作环境。
GA1210Y183JXEAR31G_A, IRF1404, FDP5500, AOT280E
