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GA0603H332JBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/22 13:27:47 查看 阅读:17

GA0603H332JBBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。适用于多种电力电子设备,如开关电源、电机驱动、逆变器等。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装技术 (SMT) 的生产需求。
  该型号属于某知名品牌的功率器件系列,专为降低功耗和提高系统可靠性而设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:3.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  功耗:典型值 3W

特性

GA0603H332JBBAR31G 具有卓越的电气性能和可靠性,以下是其主要特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 高速开关能力,能够支持高达 1MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
  3. 优秀的热性能,能够在高电流条件下保持稳定运行。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,便于实现紧凑型产品设计。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种严苛环境下的应用需求。
  6. 内置 ESD 保护功能,增强了器件的抗静电能力。

应用

这款功率 MOSFET 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 太阳能逆变器和 UPS 系统。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统,如电动助力转向和电池管理系统。
  6. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。

替代型号

GA0603H332KBBAR31G, IRF3205, FDP150AN6B

GA0603H332JBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-