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GA1210Y154KXAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 15:20:55 查看 阅读:9

GA1210Y154KXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换等领域。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提高系统效率并降低功耗。
  此型号是为工业级应用设计的产品,具备高可靠性和稳定性,适用于多种严苛环境下的电力电子设备。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值)@ Vgs=10V
  总栅极电荷(Qg):67nC
  输入电容(Ciss):3820pF
  输出电容(Coss):490pF
  开关频率:最高支持 500kHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y154KXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流应用中显著减少传导损耗。
  2. 快速的开关速度,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型化封装,节省 PCB 空间,便于系统集成。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种极端环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,满足国际法规要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动,例如工业自动化设备中的伺服电机控制。
  3. 太阳能逆变器,用于高效能量转换。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器。
  5. 充电器,包括便携式设备和电动车充电桩。
  6. UPS 不间断电源系统,保障关键负载的稳定供电。

替代型号

GA1210Y154KXAAT31H, IRF7742PBF, FDP15U12AE

GA1210Y154KXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-