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GA1210Y152KBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 13:47:24 查看 阅读:13

GA1210Y152KBLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理模块等应用。其封装形式紧凑,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  该芯片在高频工作条件下表现出色,同时具备良好的热性能,确保了长时间稳定运行。

参数

型号:GA1210Y152KBLAT31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):120V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  连续漏极电流(I_D):10A
  导通电阻(R_DS(on)):15mΩ(典型值,V_GS=10V)
  总栅极电荷(Q_g):45nC
  反向恢复时间(t_rr):45ns
  功耗(PD):160W
  工作温度范围(T_A):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3L

特性

GA1210Y152KBLAT31G 具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 R_DS(on),有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
  3. 高击穿电压 (120V),保证了可靠性和耐用性。
  4. 出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定的性能输出。
  5. 小型化封装,有助于减少 PCB 占用空间。
  6. 支持大电流操作,适应多种负载需求。
  7. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),使其非常适合工业和汽车级应用。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
  3. 电池管理系统(BMS) 中的充放电控制。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子领域中的负载开关和逆变器。
  6. LED 驱动电路中的功率调节部分。
  7. 其他需要高效能功率切换的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, STP10NK60Z, FDP18N12A

GA1210Y152KBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-