GA1210Y152KBLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理模块等应用。其封装形式紧凑,能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
该芯片在高频工作条件下表现出色,同时具备良好的热性能,确保了长时间稳定运行。
型号:GA1210Y152KBLAT31G
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压(V_DS):120V
最大栅源电压(V_GS):±20V
连续漏极电流(I_D):10A
导通电阻(R_DS(on)):15mΩ(典型值,V_GS=10V)
总栅极电荷(Q_g):45nC
反向恢复时间(t_rr):45ns
功耗(PD):160W
工作温度范围(T_A):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263-3L
GA1210Y152KBLAT31G 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 R_DS(on),有效降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 高击穿电压 (120V),保证了可靠性和耐用性。
4. 出色的热性能,能够在高温环境下保持稳定的性能输出。
5. 小型化封装,有助于减少 PCB 占用空间。
6. 支持大电流操作,适应多种负载需求。
7. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),使其非常适合工业和汽车级应用。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
3. 电池管理系统(BMS) 中的充放电控制。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子领域中的负载开关和逆变器。
6. LED 驱动电路中的功率调节部分。
7. 其他需要高效能功率切换的应用场景。
IRFZ44N, STP10NK60Z, FDP18N12A