时间：2025/6/14 18:41:46
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GA1210Y124MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能。
通过优化的芯片设计和封装技术，GA1210Y124MBAAR31G 能够在高频工作条件下保持高效和稳定的性能，同时支持大电流负载需求。这款芯片适用于各种工业和消费类电子设备中的功率转换和控制应用。
型号：GA1210Y124MBAAR31G
类型：N-Channel Power MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
栅极电荷(Qg)：60nC
输入电容(Ciss)：3570pF
输出电容(Coss)：90pF
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 低导通电阻 (Rds(on))：降低导通损耗，提升效率。
2. 高电流承载能力：支持高达 80A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能：栅极电荷小，适合高频应用。
4. 优异的热稳定性：能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装：节省 PCB 空间，便于设计布局。
6. 高可靠性：经过严格的测试和验证，确保长期使用稳定。
7. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 通信电源
6. 消费类电子产品中的功率管理模块
7. 太阳能逆变器及储能系统
GA1210Y124MBB, IRF840, FQP50N06L
