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GA1210Y123MXBAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 9:01:38 查看 阅读:8

GA1210Y123MXBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要应用于射频通信领域。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和低噪声的特点,适用于无线通信设备中的信号放大任务。
  这款芯片设计灵活,可广泛用于基站、无线接入点以及其他需要高频信号放大的场景中。它支持较宽的工作频率范围,并且能够在多种供电条件下稳定运行。

参数

型号:GA1210Y123MXBAT31G
  工作电压:4.5V 至 6V
  最大输出功率:30dBm
  频率范围:800MHz 至 2.7GHz
  增益:20dB
  效率:超过50%
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1210Y123MXBAT31G 芯片采用了最新的化合物半导体技术,确保了其在高频段下的卓越性能。
  1. 高线性度:通过内置预失真电路,有效降低了信号失真,提高了通信质量。
  2. 低功耗设计:即使在高输出功率下,也能够保持较低的功耗水平,延长了设备的续航时间。
  3. 稳定性好:内置温度补偿功能,在不同环境条件下都能提供一致的性能表现。
  4. 易于集成:模块化设计简化了与现有系统的整合过程,同时减少了外围元件的数量。

应用

该芯片广泛应用于各种射频通信系统中,包括但不限于:
  1. 无线基站:用于提升基站覆盖范围和信号质量。
  2. Wi-Fi 和蓝牙设备:增强无线网络连接的稳定性。
  3. 工业物联网 (IIoT):为远程传感器和控制单元提供可靠的信号传输。
  4. 军用及航空航天通信:满足对高性能和可靠性的苛刻要求。
  此外,还可用作测试测量仪器中的信号源放大器。

替代型号

GA1210Y123MXBAT32G
  GA1210Y123MXBAT33G

GA1210Y123MXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-